Сверхскоростное ОЗУ будущего

Технология Hybrid Memory Cube даст большие возможности оперативной памяти. Прежде всего, память станет трехмерной, а пропускная способность увеличится в двенадцать раз по сравнению с DDR3. Выходы первых образцов таких модулей ожидаются на 2013 год.

На форуме разработчиков Intel Developer Forum в 2011году уже была продемонстрирована тестовая модель, построенная на четырехслойном пакете кристаллов. Пропускная способность составила 128 Гбит в секунду. Современные модули памяти передают данные со скоростью 11 Гбит в секунду. Для такой скорости нужна соответствующая материнская плата. С выходом новой технологии производители материнских плат будут вынуждены ставить новые интерфейсы и разъемы для обеспечения заявленной скорости. Но этого мало, так как нужно чтобы другие комплектующие работали с примерной скоростью, например, HDD или SSD накопители.

Структура новой ОЗУ состоит из кремниевых «столбиков». Они передают данные от кристаллов к уровню управления со скорость 1 Тбайт в секунду. От применения Hybrid Memory Cube операционная система Windows существенно ускорится, так как она зачастую записывает и считывает данные в ОЗУ.




21 ноября, 2012  

Зарегистрируйтесь, чтобы оставить комментарий.